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  • 用場效應管進行過流保護的電路圖解析
    • 發布時間:2024-09-12 21:02:24
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    用場效應管進行過流保護的電路圖解析
    使用 MOSFET 進行過流保護 – 電路原理圖
    電子電路必須具有過流保護,以防止大電流造成損害。由于開關時間快且導通電阻低,MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)可用作過流保護電路中的開關。在本文中,我們將討論基于 MOSFET 的過流預防的簡單原理圖電路圖。
    用場效應管進行過流保護的電路圖
    成分:
    檢測電阻器 (Rs):該電阻器用于測量流過電路的電流,與負載串聯。
    比較器(運算放大器):使用運算放大器將檢測電阻器兩端的電壓與參考電壓進行比較。
    參考電壓(Vref):過流檢測的閾值是預設電壓。當檢測電阻兩端的電壓大于參考電壓時,比較器的輸出將改變狀態。
    MOSFET(N溝道):電路中的開關就是這個MOSFET。當比較器的輸出為高電平時,MOSFET 導通,基本上切斷負載與電源的連接。
    電路操作:
    檢測電阻 (Rs) 產生的電壓與流過它的電流成正比。該電壓通過運算放大器與參考電壓 (Vref) 進行對比。當負載電流在典型范圍內時,Rs 兩端的電壓保持低于 Vref,運算放大器輸出保持低電平。
    如果發生過流情況(例如短路或負載電流過大),Rs 兩端的電壓將超過 Vref。因此,運算放大器的輸出增加。 MOSFET 的柵極由該強輸出信號驅動,將其打開并切斷負載電流。
    好處:
    該電路非常簡單且價格實惠,因此非常適合各種應用。
    由于導通電阻較低,MOSFET 可以減少開關上的電壓驟降。
    由于MOSFET的快速開關特性,響應時間快。
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