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  • SiC MOSFET短路保護理解解析
    • 發布時間:2023-06-21 21:09:51
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    SiC MOSFET短路保護理解解析
    SiC MOSFET短路保護
    1、SiC MOSFET的晶元面積小于IGBT晶元面積,短路時候散熱能力不及IGBT。
    2、IGBT短路后能夠退飽和(desaturation)進入線性區,電流不再增加,能夠自我限流。
    3、短路后SiC MOSFET 由線性區(linear region)進入飽和區(saturation region),拐點電壓非常高,因此Id電流增加的同時,Vds隨著上升,進一步擴大短路損耗。
    4、IGBT退飽和保護機理,如下圖,正常工作Cblk 電壓會被嵌位到Vce+Vd,當IGBT進入退飽和拐點后,Vce迅速上升,Dhv由導通變為截止,電流源迅速對Cblk充電,抬高電壓DESATFault 置位。
    SiC MOSFET 短路
    IGBT 退飽和電路
    5、由于SiC MOSFET的“退飽和拐點”非常高,Vds的響應速度非常慢,一般不采用Vce電壓進行“退飽和”操作,通過采樣電阻電流采樣,精度高。但是損耗大,在小電流應用中使用。
    SiC MOSFET 短路
    6、對于大電流應用,傾向于帶有SENSE PIN的MOSFET進行電流采樣,Rs上電流和主管上的電流存在一定的比例關系,從而減小采樣電阻上電壓。
    SiC MOSFET 短路
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