一级毛片免费不卡在线视频-一级毛片免费播放视频-一级毛片免费播放-一级毛片免费-久久爆操-久久爱影院

您好!歡迎光臨烜芯微科技品牌官網!

深圳市烜芯微科技有限公司

ShenZhen XuanXinWei Technoligy Co.,Ltd
二極管、三極管、MOS管、橋堆

全國服務熱線:18923864027

  • 熱門關鍵詞:
  • 橋堆
  • 場效應管
  • 三極管
  • 二極管
  • MOSFET內部結構優化的驅動電路詳解
    • 發布時間:2022-04-11 19:12:02
    • 來源:
    • 閱讀次數:
    MOSFET內部結構優化的驅動電路詳解
    通常在實際的設計過程中,電子工程師對其的驅動電路以及驅動電路的參數調整并不是十分關注,尤其是從來沒有基于MOSFET內部的微觀結構去考慮驅動電路的設計,導致在實際的應用中,MOSFET產生一定的失效率。本文將討論這些細節的問題,從而優化MOSFET的驅動性能,提高整個系統的可靠性。
    功率MOSFET的柵極模型
    通常從外部來看,MOSFET是一個獨立的器件,事實上,在其內部,由許多個單元(小的MOSFET)并聯組成,圖1(a)為AOT460內部顯微結構圖,其內部的柵極等效模型如圖1(b)所示。MOSFET的結構確定了其柵極電路為RC網絡。
    MOSFET 驅動電路
    圖1:AOT460顯微結構圖及柵極等效模型
    在MOSFET關斷過程中,MOSFET的柵極電壓VGS下降,從其等效模型可以得出,在晶元邊緣的單元首先達到柵極關斷電壓VTH而先關斷,中間的單元由于RC網絡的延遲作用而滯后達到柵極關斷電壓VTH而后關斷。
    MOSFET 驅動電路
    圖2:MOSFET關斷時的電流分布
    如果MOSFET所加的負載為感性負載,由于電感電流不能突變,導致流過MOSFET的電流向晶元的中間流動,如圖2所示。這樣就會造成MOSFET局部單元過熱而導致MOSFET局部單元損壞。
    如果加快MOSFET的關斷速度,以盡量讓MOSFET快速關斷,不讓能量產生集聚點,這樣就不會因局部單元過熱而損壞MOSFET。
    注意到:MOSFET的關斷過程是一個由穩態向非穩態過渡的過程,與此相反,MOSFET在開通時,由于負載的電流是隨著單元的逐漸開通而不斷增加的,因此是一個向穩態過渡的過程,不會出現關斷時產生的能量集聚點。
    因此,MOSFET在關斷時應提供足夠的放電電流讓其快速關斷,這樣做不僅是為了提高開關速度而降低開關損耗,同時也是為了讓非穩態過程盡量短,不至產生局部過熱點。
    功率MOSFET熱不穩定性
    MOSFET 驅動電路
    圖3:MOSFET的轉移特性
    圖3為MOSFET處于飽和區時漏極電流ID與柵極電壓VGS的關系曲線即轉移特性,用公式可表示為:
    MOSFET 驅動電路
    其中,
    MOSFET 驅動電路
    對于特定的MOSFET,K為常數。因此,MOSFET處于飽和狀態時ID與VGS是平方的關系。
    由圖3可知,當MOSFET處于飽和區并且ID=ID0時,ID隨溫度的變化是負溫度系數。因為MOSFET是由很多的小的單元組成。
    應用實例
    圖4是電動車控制器的兩種驅動MOSFET管AOT460驅動電路,分立器件驅動時,PWM在上橋臂,直接用MC33035驅動時,PWM在下橋臂。
    MOSFET 驅動電路
    圖4:AOT460驅動電路
    圖4(a)當MOSFET管AOT460關斷時,柵極通過Q5直接放電。圖4(b)驅動電路中,當MOSFET管AOT460關斷時,柵極電流通過電阻R6和MC33035的下驅動對地放電。
    由于MOSFET管AOT460在關斷時電流迅速減小,會在PCB和電流檢測電阻的寄生電感上產生感應電勢,感應電勢的大小為Ldi/dt,方向如圖紅線所示。
    這樣會使MOSFET管AOT460的源極和MC33035驅動的參考電位發生相對變化,這種變化降低了MC33035相對于MOSFET管AOT460源極的驅動電壓,從而降低了驅動能力,使關斷速度變慢。
    兩種電路的關斷波形如圖5所示。在圖5(b)中,當VGS低于米勒平臺之后,電阻R6兩端的電壓,即圖5(b)中CH1和CH3的電位差變小,由于反電勢的影響,驅動線路已經幾乎不能通過電阻R6給柵極提供放電電流,導致MOSFET的關斷變慢。(注:測試波形時探頭的地線均夾在MOSFET的源極)
    MOSFET 驅動電路
    圖5:AOT460驅動波形
    MOSFET 驅動電路
    圖6:AOT460快速和慢速開關熱成像圖
    圖6為AOT460在同一應用中快速開關和慢速開關情況下的熱成像照片。可以看出,在慢速開關情況下MOSFET的局部溫度要高于快速開關情況下的溫度,過慢的開關速度會導致MOSFET因局部溫度過高而提前失效。
    小結
    ①過慢的開關速度增加MOSFET的開關損耗,同時由于柵極RC網絡延遲和MOSFET本身的熱不穩定性產生局部過熱,使MOSFET提前失效。
    ②過快的開通速度產生較大開通的浪涌電流以及開關振鈴及電壓尖峰。
    ③設計驅動線路和PCB布線時,減小主回路PCB和電流檢測電阻的寄生電感對開關波形的影響,布線時應使大電流環路盡量小并且使用較寬的走線。
    〈烜芯微/XXW〉專業制造二極管,三極管,MOS管,橋堆等,20年,工廠直銷省20%,上萬家電路電器生產企業選用,專業的工程師幫您穩定好每一批產品,如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以直接聯系下方的聯系號碼或加QQ/微信,由我們的銷售經理給您精準的報價以及產品介紹
     
    電話:18923864027(同微信)
    QQ:709211280

    相關閱讀
    主站蜘蛛池模板: 人妖欧美一区二区三区四区 | 秋葵app秋葵官网18在线观看 | 性色欲情网站IWWW九文堂 | 色一欲一性一乱一区二区三区 | 国产最猛性XXXX69交 | 漂亮的保姆5电影免费观看完整版中文 | 精品九九视频 | 女人被躁到高潮嗷嗷叫69 | 三级黄色在线 | 人人艹人人 | adc免费观看| 国产精品 中文字幕 亚洲 欧美 | 热久久伊大人香蕉网老师 | 超污视频带污疼免费视频 | 天天影视色欲 影视 | 亚洲精品无码AV中文字幕蜜桃 | 俄罗斯美女性生活 | 日本最新免费区中文 | 嘟嘟嘟在线视频免费观看高清中文 | 久久国产精品人妻中文 | 精品国产mmd在线观看 | 国产精品久久人妻无码蜜 | 国精品产露脸偷拍视频 | 亚洲AV无码国产精品色在线看 | 国内精品人妻无码久久久影院蜜桃 | 欧美高清videosgratis高 | 18禁三级黄 | 被男按摩师添的好爽在线直播 | 久久精品国产96精品亚洲 | 青青草国产精品 | 午夜DV内射一区二区 | 2021久久99国产熟女人妻 | 99久久国语露脸精品国产 | 女子叉开腿让男子桶免费软件 | 日本50人群体交乱 | 一二三四在线观看高清电视剧 | 最近免费中文字幕MV在线视频3 | 最近中文字幕在线看免费完整版 | 玛雅成人网 | 亚洲欧美综合中文字幕 | 国产女人91精品嗷嗷嗷嗷 |