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  • 場效應管的防反接原理知識
    • 發布時間:2021-03-17 17:19:13
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    場效應管的防反接原理知識
    場效應管可以用在控制回路中,起到控制負載回路通斷的作用,也可以用在防反接電路中,避免電源防接將電路燒壞。二極管可以實現電源防反接,但是二極管會產生正向壓降,不適合低電壓供電的情況,如3.3V。而場效應管因為內阻低,所以導通壓降可以忽略不計。下面以MOSFET為例來介紹場效應管的防反接原理。
    NMOS防反接原理
    用NMOS設計防反接電路時,需要將NMOS放在電源的低端側。所設計的原理示意圖如下圖所示。
    場效應管的防反接原理
    當電源反接的時候,G極為低電平和S極同電位,NMOS不導通,不會燒壞負載。當電源正接的時候,G極高電平,D極為低電平,因為寄生二極管的存在,S極的電平為0.7V,此時VGS為VBat-0.7V大于Vth,則NMOS導通,電路正常工作。
    PMOS防反接原理
    用PMOS設計防反接電路時,需要將PMOS放在電源的高側。所設計的電路示意圖如下圖所示。
    場效應管的防反接原理
    當電源反接時,G極為高電平,PMOS不導通,避免負載電路被燒壞;當電源正接時,G極為低電平,因為寄生二極管的原因,S極為VBat-0.7,所以,Vgs小于零,所以PMOS導通,電路正常工作。
    需要注意的問題
    在設計防反接電路時,NMOS要放在低端側;PMOS要放在高端側。這一點一定要注意。
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