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  • MOS管三個(gè)極判斷-MOS管G極串聯(lián)小電阻有什么作用
    • 發(fā)布時(shí)間:2019-11-12 14:06:41
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    MOS管三個(gè)極判斷-MOS管G極串聯(lián)小電阻有什么作用
    MOS管三個(gè)極
    1.判斷柵極G
    MOS驅(qū)動(dòng)器主要起波形整形和加強(qiáng)驅(qū)動(dòng)的作用:假如MOS管的G信號(hào)波形不夠陡峭,在點(diǎn)評(píng)切換階段會(huì)造成大量電能損耗其副作用是降低電路轉(zhuǎn)換效率,MOS管發(fā)燒嚴(yán)峻,易熱損壞MOS管GS間存在一定電容,假如G信號(hào)驅(qū)動(dòng)能力不夠,將嚴(yán)峻影響波形跳變的時(shí)間.
    將G-S極短路,選擇萬(wàn)用表的R×1檔,黑表筆接S極,紅表筆接D極,阻值應(yīng)為幾歐至十幾歐。若發(fā)現(xiàn)某腳與其字兩腳的電阻均呈無(wú)限大,并且交換表筆后仍為無(wú)限大,則證實(shí)此腳為G極,由于它和另外兩個(gè)管腳是絕緣的。
    2.判斷源極S、漏極D
    將萬(wàn)用表?yè)苤罵×1k檔分別丈量三個(gè)管腳之間的電阻。用交換表筆法測(cè)兩次電阻,其中電阻值較低(一般為幾千歐至十幾千歐)的一次為正向電阻,此時(shí)黑表筆的是S極,紅表筆接D極。因?yàn)闇y(cè)試前提不同,測(cè)出的RDS(on)值比手冊(cè)中給出的典型值要高一些。
    3.丈量漏-源通態(tài)電阻RDS(on)
    在源-漏之間有一個(gè)PN結(jié),因此根據(jù)PN結(jié)正、反向電阻存在差異,可識(shí)別S極與D極。例如用500型萬(wàn)用表R×1檔實(shí)測(cè)一只IRFPC50型VMOS管,RDS(on)=3.2W,大于0.58W(典型值)。
    MOS管,電阻,MOS管G極
    MOS管G極串聯(lián)小電阻的作用
    MOS管G極串聯(lián)小電阻的作用如下文,在電源電路中,功率MOS管的G極經(jīng)常會(huì)串聯(lián)一個(gè)小電阻,幾歐姆到幾十歐姆不等,那么這個(gè)電阻用什么作用呢?
    MOS管,電阻,MOS管G極
    如上圖開(kāi)關(guān)電源,G串聯(lián)電阻R13。這個(gè)電阻的作用有2個(gè)作用:限制G極電流,抑制振蕩。
    限制G極電流
    MOS管是由電壓驅(qū)動(dòng)的,是以G級(jí)電流很小,但是因?yàn)榧纳娙莸拇嬖冢贛OS管打開(kāi)或關(guān)閉的時(shí)候,因?yàn)橐獙?duì)電容進(jìn)行充電,所有瞬間電流還是比較大的。特別是在開(kāi)關(guān)電源中,MOS管頻繁的開(kāi)啟和關(guān)閉,那么就要更要考慮這個(gè)帶來(lái)的影響了。
    MOS管,電阻,MOS管G極
    如上圖,MOS管的寄生電容有三個(gè),Cgs,Cgd,Cds
    一般在MOS管規(guī)格書(shū)中,一般會(huì)標(biāo)下面三個(gè)參數(shù):Ciss,Coss,Crss,他們與寄生電容的關(guān)系如下:
    Ciss=Cgs+Cgd
    Coss=Cds+Cgd
    Crss=Cgd
    如以MOS管FDS2582為例:
    MOS管,電阻,MOS管G極
    Ciss=1290pF,可以看到,這個(gè)寄生電容是很可觀的。
    簡(jiǎn)單估算一下,假設(shè)Vgs=10V,dt=Tr(上升時(shí)間)=20ns ,Ciss=1290pF,那么可得G極在開(kāi)關(guān)時(shí)的瞬間電流I=Ciss*dVgs/dt =0.6A。
    在基極串聯(lián)一個(gè)電阻,與Ciss形成一個(gè)RC充放電電路,可以減小瞬間電流值,不至于損毀MOS管的驅(qū)動(dòng)芯片。
    因?yàn)樵黾拥倪@個(gè)電阻,會(huì)減緩MOS管的開(kāi)啟與通斷時(shí)間,增加損耗,所以不能接太大。這也是為什么電阻是幾歐姆或者幾十歐姆的原因所在。
    抑制振蕩
    MOS管,電阻,MOS管G極
    MOS管接入電路,也會(huì)有引線(xiàn)產(chǎn)生的寄生電感的存在,與寄生電容一起,形成LC振蕩電路。對(duì)于開(kāi)關(guān)方波波形,是有很多頻率成分存在的,那么很可能與諧振頻率相同或者相近,形成串聯(lián)諧振電路。
    串聯(lián)一個(gè)電阻,可以減小振蕩電路的Q值,是振蕩快速衰減,不至于引起電路故障。
    MOS管G極、S極、D極測(cè)試步驟
    測(cè)試步驟:
    MOS管的檢測(cè)主要是判斷MOS管漏電、短路、斷路、放大。
    其步驟如下:
    假如有阻值沒(méi)被測(cè)MOS管有漏電現(xiàn)象。
    1、把連接?xùn)艠O和源極的電阻移開(kāi),萬(wàn)用表紅黑筆不變,假如移開(kāi)電阻后表針慢慢逐步退回到高阻或無(wú)限大,則MOS管漏電,不變則完好
    2、然后一根導(dǎo)線(xiàn)把MOS管的柵極和源極連接起來(lái),假如指針立刻返回?zé)o限大,則MOS完好。
    3、把紅筆接到MOS的源極S上,黑筆接到MOS管的漏極上,好的表針指示應(yīng)該是無(wú)限大。
    4、用一只100KΩ-200KΩ的電阻連在柵極和漏極上,然后把紅筆接到MOS的源極S上,黑筆接到MOS管的漏極上,這時(shí)表針指示的值一般是0,這時(shí)是下電荷通過(guò)這個(gè)電阻對(duì)MOS管的柵極充電,產(chǎn)生柵極電場(chǎng),因?yàn)殡妶?chǎng)產(chǎn)生導(dǎo)致導(dǎo)電溝道致使漏極和源極導(dǎo)通,故萬(wàn)用表指針偏轉(zhuǎn),偏轉(zhuǎn)的角度大,放電性越好。
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